型號：QS6M4TR-VB

品牌：VBsemi

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參數說明：

- 溝道類型：2個N+P—Channel溝道
- 最大工作電壓：±20V
- 最大電流：7A / -4.5A
- 開態電阻：20mΩ / 70mΩ @ VGS=4.5V
- 閾值電壓：Vth=0.71V / -0.81V
- 封裝類型：SOT23-6

產品簡介：

QS6M4TR-VB是一款具有2個N+P—Channel溝道的場效應晶體管，由VBsemi生產。該器件具有±20V的最大工作電壓和7A / -4.5A的最大電流容許值。采用SOT23-6封裝，適用于各種電路設計，提供可靠的功率開關控制和高效的性能。

詳細參數說明：

1. 溝道類型：2個N+P—Channel溝道
2. 最大工作電壓：±20V
3. 最大電流：7A / -4.5A
4. 開態電阻：20mΩ / 70mΩ @ VGS=4.5V
5. 閾值電壓：Vth=0.71V / -0.81V
6. 封裝類型：SOT23-6

適用領域和模塊示例：

1. 電源管理：QS6M4TR-VB適用于各種電源管理模塊和電源開關電路，如筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設備中的電源管理模塊。其高電壓容許值和低開態電阻使其成為電源管理領域的理想選擇。

2. 電池保護：在便攜式電子設備和電動車等領域，需要對電池進行保護，以防止過放電、過充電等情況。QS6M4TR-VB可用于充電保護電路和電池管理系統中，確保電池的安全性和穩定性。

3. 電機驅動：在各種電機驅動應用中，需要高性能的功率開關器件來實現電機的準確控制和高效運行。QS6M4TR-VB可用于電機驅動器、電機控制系統和其他電機驅動應用，提供可靠的性能和穩定的控制。