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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI3445DV-T1-GE3-VB一種P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): SI3445DV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi P-Channel MOSFET SI3445DV-T1-GE3-VB**

- **絲印:** VB8658
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - P-Channel溝道
 - 額定電壓:-60V
 - 額定電流:-6.5A
 - 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):50mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓(Vth):-1V 到 -3V
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

SI3445DV-T1-GE3-VB是一款P-Channel MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。它具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性,適用于多種電源管理、開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)電路。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

1. **額定電壓(VDS):** -60V的額定電壓使得該MOSFET適用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,包括低至中等功率的電路設(shè)計(jì)。

2. **額定電流(ID):** -6.5A的額定電流表明它能夠處理中等功率負(fù)載,適用于多種電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在10V的柵極-源極電壓下,導(dǎo)通電阻為50mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件會(huì)產(chǎn)生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓在-1V到-3V之間可調(diào),這使得器件易于控制,適用于高效率的電路設(shè)計(jì)。

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源管理:** 可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源逆變器和電池管理系統(tǒng)等。

2. **驅(qū)動(dòng)器:** 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器和風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)器等。

3. **開(kāi)關(guān)電路:** 用于開(kāi)關(guān)模塊、DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器等電路設(shè)計(jì)。

綜上所述,SI3445DV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的P-Channel MOSFET,適用于多種低至中功率的電源管理、開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用。

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