**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi的05N50H-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于各種應(yīng)用。該器件具有高漏極電壓、適中的導(dǎo)通電阻和電流，適用于要求中等功率和高電壓的電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制等應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- **型號：** 05N50H-VB
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 650V
- **門源電壓（VGS）：** 30V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 5A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

**應(yīng)用示例：**
- **電源：** 該MOSFET可用于中等功率和高電壓的開關(guān)模式電源中，以穩(wěn)定和調(diào)節(jié)電壓。
- **DC-DC轉(zhuǎn)換器：** 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器電路中，以實現(xiàn)不同電壓級之間的轉(zhuǎn)換。
- **電機控制：** 可用于中等功率電機控制電路，以調(diào)節(jié)和控制電機的轉(zhuǎn)速。

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