### 產(chǎn)品簡介

068N10N-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有100V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、2.5V的閾值電壓（Vth）、10.5mΩ@VGS=4.5V和8.5mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及85A的漏極電流（ID）。該產(chǎn)品采用Trench技術(shù)，適用于中高壓高電流應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **封裝：** TO252
- **結(jié)構(gòu)：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 100V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** 20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 2.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：**
 - @VGS=4.5V: 10.5mΩ
 - @VGS=10V: 8.5mΩ
- **漏極電流（ID）：** 85A
- **技術(shù)：** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理：** 068N10N-VB適用于中高壓高電流的電源管理應(yīng)用，如開關(guān)電源和DC-DC變換器，可提供高效的電源開關(guān)功能。

2. **電動汽車充電樁：** 由于具有適度的漏極電流和低導通電阻，該產(chǎn)品適用于電動汽車充電樁的電源開關(guān)。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)：** 068N10N-VB適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電機驅(qū)動、照明控制和電源管理等領(lǐng)域，可處理高電流和低壓降的需求。

4. **太陽能逆變器：** 068N10N-VB可用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器，提供高效和可靠的功率開關(guān)電路。

5. **高壓電源管理：** 由于具有較高的漏極-源極電壓，068N10N-VB適用于需要處理中高壓的電源管理應(yīng)用，如開關(guān)電源和DC-DC變換器。