### 產品簡介：
VBsemi的06CN10N-VB是一款TO220封裝的單N溝道場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有100V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值）、3V的閾值電壓（Vth）、5mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及120A的漏極電流（ID）。采用了溝槽工藝（Trench Technology），在高電壓下具有良好的性能和可靠性。
### 參數說明：
- 封裝：TO220
- 類型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- RDS(ON)：5mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：120A
- 工藝：溝槽工藝
### 適用領域和模塊：
- 電源模塊：由于其高漏極電壓和適中的導通電阻，06CN10N-VB適用于電源模塊，如開關電源、UPS系統和逆變器，特別適用于需要承受高壓的應用。
- 汽車電子：在汽車電子領域，由于其高電壓和適中的導通電阻，06CN10N-VB常被應用于汽車電源管理模塊、點火系統和照明系統等模塊中，確保車輛的高性能和可靠性。
- 工業(yè)電子：在工業(yè)控制和自動化領域，由于其耐高壓的特性，06CN10N-VB常被應用于高壓開關和控制模塊中，確保設備的穩(wěn)定運行。
