以下是關于VBsemi的MOSFET產品076N12N-VB的詳細信息：

1. 產品簡介：
  - 型號：076N12N-VB
  - 封裝：TO262
  - 構造：單N溝道
  - 額定漏極-源極電壓（VDS）：100V
  - 額定柵極-源極電壓（VGS）：20V（±）
  - 閾值電壓（Vth）：2.5V
  - 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：在VGS=4.5V時為10mΩ，在VGS=10V時為9mΩ
  - 連續漏極電流（ID）：100A
  - 工藝：溝槽

2. 參數說明：
  - VDS：100V是該MOSFET的最大漏極-源極電壓，超過這個電壓可能導致器件損壞。
  - VGS：20V（±）是該MOSFET的最大柵極-源極電壓范圍，超過這個范圍可能導致器件損壞。
  - Vth：2.5V是該MOSFET的閾值電壓，即當柵極電壓高于2.5V時，MOSFET開始導通。
  - RDS(ON)：在VGS=4.5V時為10mΩ，在VGS=10V時為9mΩ，這表示在不同柵極電壓下，MOSFET的靜態漏極-源極電阻不同。
  - ID：100A是該MOSFET的最大連續漏極電流，超過這個電流可能導致器件過熱損壞。

3. 應用領域和模塊示例：
  - 電源模塊：由于076N12N-VB具有較低的漏極-源極電阻和較高的漏極電流能力，適用于高性能電源模塊，如服務器電源和通信設備電源。
  - 電動工具：可用于電動工具中的電源開關和電流控制，由于其高電流能力和低導通電阻，提供高效的電能轉換和管理。
  - 醫療設備：由于其高電壓和電流能力，適用于醫療設備中的電源管理和開關控制，確保設備的穩定性和高效運行。

請注意，以上示例僅用于說明該MOSFET可能的應用領域和模塊，實際應用需根據具體設計要求進行評估。