**07N65C3-VB**

**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi 07N65C3-VB 是一款高性能的 TO220 封裝 N 溝道 MOSFET。其特點包括高耐壓能力（650V）、低導通電阻（RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V）、低門源電壓（VGS=30V）、高耐電流能力（ID=9A）等。該器件采用了 SJ_Multi-EPI 技術，適用于各種應用場合。

**詳細參數(shù)說明：**
- 封裝：TO220
- 極性：單 N 溝道
- 最大耐壓（VDS）：650V
- 最大門源電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：500mΩ@VGS=10V
- 最大持續(xù)漏電流（ID）：9A
- 技術：SJ_Multi-EPI

**應用領域和模塊示例：**
1. **工業(yè)自動化**：可用于工業(yè)電機驅(qū)動器、UPS 電源、電焊機等設備的功率開關控制。
2. **電力電子**：適用于開關電源、電感耦合器、變壓器等高效能耗電子設備的控制。
3. **新能源**：可應用于太陽能逆變器、電動汽車充電器等場合，提高能源轉(zhuǎn)換效率。
4. **照明**：適用于 LED 驅(qū)動器、電子鎮(zhèn)流器等照明設備中的功率開關控制。
5. **醫(yī)療設備**：用于醫(yī)療成像設備、高頻電刀等醫(yī)療器械中的功率控制和調(diào)節(jié)。
6. **通信設備**：適用于通信基站、射頻功率放大器等設備中的功率開關控制。