VBsemi的086N10N-VB是一款TO262封裝的單N溝道MOSFET。它具有100V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、2.5V的閾值電壓（Vth）、在VGS=4.5V時的10mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、在VGS=10V時的9mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及100A的漏極電流（ID）。該產品采用槽道（Trench）技術。

**產品簡介：**
VBsemi的086N10N-VB是一款高性能TO262封裝的單N溝道MOSFET，適用于需要高功率密度和低導通電阻的應用場合。它具有優異的導通特性和穩定性，可在各種高電流應用中提供可靠的性能。

**詳細參數說明：**
- 封裝：TO262
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：100V
- 柵極-源極電壓（VGS）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V，9mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：100A
- 技術：槽道（Trench）

**應用領域和模塊示例：**
1. 電源管理模塊：086N10N-VB可用于電源管理模塊中，作為高功率開關元件，提供高效的能源轉換。
2. 電動汽車控制器：在電動汽車控制器中，086N10N-VB可用于電動機控制，提供高功率密度和可靠性。
3. 電源適配器：適用于電源適配器的086N10N-VB具有低導通電阻和高電流能力，可提供穩定的電源輸出。
4. 風力發電系統：086N10N-VB可用于風力發電系統中，作為風力渦輪機控制的關鍵元件，提供高效的能源轉換。
5. 工業自動化控制系統：在工業自動化控制系統中，086N10N-VB可用于電源開關和電機控制，提供可靠的能源管理和控制功能。

這些示例說明了086N10N-VB在多個領域和模塊中的廣泛應用，展示了其在不同應用環境下的高性能和穩定性。