--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
11N10-VB TO252 是一款單N溝道場效應管(MOSFET),具有100V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,±V),1.8V的閾值電壓(Vth),114mΩ@VGS=10V的導通電阻(RDS(ON)),以及15A的漏極電流(ID)。采用了Trench工藝。適用于中低功率、中等電壓的應用場合。
### 參數說明:
- **Package:** TO252
- **Configuration:** Single-N-Channel
- **VDS(漏極-源極電壓):** 100V
- **VGS(柵極-源極電壓,±V):** 20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.8V
- **RDS(ON)(導通電阻):** 114mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 15A
- **Technology(工藝):** Trench

### 應用示例:
1. **電源逆變器:** 11N10-VB TO252 可用于中低功率的逆變器模塊,如家用逆變器、照明逆變器等,實現直流到交流的轉換。
2. **電源管理:** 適用于中等功率的電源管理模塊,如開關電源、穩壓器等,提供穩定的電壓輸出。
3. **電動工具:** 可用于中低功率的電動工具電路中,如電動扳手、電動剪等,實現高效能的功率控制。
4. **照明控制:** 適用于LED照明系統的電源開關,實現高效能的功率控制和調光功能。
5. **電動車充電樁:** 可用于中等功率的電動車充電樁中,提供穩定的充電電流和電壓。
以上僅為一些典型應用示例,實際應用取決于具體設計要求和環境。
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