### 11N50I-VB TO220F 產品簡介

11N50I-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝技術。該器件具有 550V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)，閾值電壓 (Vth) 為 3V。在柵源電壓為 10V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 為 260mΩ。這款 MOSFET 采用 Plannar 技術制造，具備較低的導通電阻和良好的耐壓能力，適用于高壓環境下的應用。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
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| 產品型號 | 11N50I-VB |
| 封裝 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 550V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 260mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 18A |
| 技術 | Plannar |

### 應用領域和模塊示例

11N50I-VB 這款高壓 MOSFET 可廣泛應用于各種領域和模塊中，例如：

1. **電源逆變器**
  - 在工業和電力電子領域，11N50I-VB 可用于電源逆變器中的開關電路，實現對電能的高效轉換和控制。

2. **高壓電源管理**
  - 適用于高壓電源管理系統中的開關電路和穩壓電路，提供穩定可靠的電源輸出。

3. **照明應用**
  - 在高壓 LED 照明系統中，11N50I-VB 可用作 LED 驅動器的開關元件，實現對 LED 燈的精確控制和調節。

4. **電動汽車充電樁**
  - 在電動汽車充電樁中，11N50I-VB 可用作充電樁控制電路的關鍵元件，確保充電樁的安全和穩定性。

5. **工業自動化**
  - 該器件可用于工業控制系統中的高壓開關電路和負載開關，支持高頻操作和大電流處理，提升設備的性能和可靠性。

通過以上示例，可以看出 11N50I-VB MOSFET 在高壓環境下具備良好的性能和可靠性，適用于多種應用場合，是許多電子系統中的理想選擇。