### 11N50L-TF1-T-VB MOSFET 產品簡介

VBsemi的11N50L-TF1-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝技術。這種MOSFET在550V的漏源電壓（VDS）和30V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為260mΩ。該器件的額定電流（ID）為18A，采用了Plannar技術，具有高電壓承受能力和低導通電阻的特點，適用于高壓、高功率的應用場景。

### 11N50L-TF1-T-VB MOSFET 參數說明

- **型號：** 11N50L-TF1-T-VB
- **封裝：** TO220F
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 550V
- **柵源電壓（VGS）：** 30（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3V
- **開態電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 260mΩ
- **額定電流（ID）：** 18A
- **技術：** Plannar

### 11N50L-TF1-T-VB MOSFET 應用領域及模塊示例

1. **電源逆變器：**
  11N50L-TF1-T-VB MOSFET適用于太陽能逆變器和電網逆變器中的高壓開關。其高漏源電壓和低導通電阻使其能夠在逆變器中穩定地轉換直流電為交流電，提供可靠的電源輸出。

2. **電動車輛充電樁：**
  在電動車輛充電樁中，11N50L-TF1-T-VB MOSFET可用于控制充電樁的直流-直流變換器。其高額定電流和低導通電阻使其能夠高效地轉換電能，提供快速充電服務。

3. **工業高壓電源：**
  在工業設備中，特別是需要高壓電源的設備中，11N50L-TF1-T-VB MOSFET可用于控制高壓電源的開關。其高漏源電壓和高可靠性使其成為工業設備中的理想選擇。

4. **醫療設備：**
  在一些需要高壓開關的醫療設備中，如X射線機和核磁共振設備，11N50L-TF1-T-VB MOSFET可用于控制電源的開關。其高電壓承受能力和低導通電阻確保了設備的穩定性和可靠性。

通過這些應用領域和模塊的實例，11N50L-TF1-T-VB MOSFET展示了其在高壓、高功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。