### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的11N60C3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術(shù)，具有高達(dá)650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為430mΩ，具有18A的漏極電流（ID）和3.5V的閾值電壓（Vth）。

### 參數(shù)說明

- **型號**: 11N60C3-VB
- **封裝**: TO220
- **結(jié)構(gòu)**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 30V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏極-源極導(dǎo)通電阻）**: 
 - VGS=10V時：430mΩ
- **ID（漏極電流）**: 18A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源模塊**: 11N60C3-VB的高電壓和電流特性使其適用于電源模塊，如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。
2. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，該器件可用于功率開關(guān)和電流控制，例如在PLC（可編程邏輯控制器）和工業(yè)機器人中。
3. **電動汽車**: 由于其高電壓和電流容量，11N60C3-VB適用于電動汽車中的功率開關(guān)和電池管理系統(tǒng)。
4. **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器中，該器件可用作功率開關(guān)，實現(xiàn)太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換和逆變控制。
5. **醫(yī)療設(shè)備**: 該MOSFET可用于醫(yī)療設(shè)備中的電源管理和控制，如醫(yī)用X射線機和超聲波設(shè)備。

以上示例僅說明了11N60C3-VB可能應(yīng)用的部分領(lǐng)域和模塊，具體應(yīng)用取決于設(shè)計要求和環(huán)境。