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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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11N60S5-VB TO247一款N-Channel溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 11N60S5-VB TO247
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 11N60S5-VB TO247 產(chǎn)品簡介

11N60S5-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET,采用 TO247 封裝技術(shù)。該器件具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在柵源電壓為 10V 時,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 430mΩ。這款 MOSFET 采用 Plannar 技術(shù)制造,具備較低的導(dǎo)通電阻和良好的耐壓能力,適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù) | 規(guī)格 |
| --- | --- |
| 產(chǎn)品型號 | 11N60S5-VB |
| 封裝 | TO247 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 430mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 18A |
| 技術(shù) | Plannar |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

11N60S5-VB 這款高壓 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域和模塊中,例如:

1. **電源逆變器**
  - 在工業(yè)和電力電子領(lǐng)域,11N60S5-VB 可用于電源逆變器中的開關(guān)電路,實現(xiàn)對電能的高效轉(zhuǎn)換和控制。

2. **高壓電源管理**
  - 適用于高壓電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)電路和穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定可靠的電源輸出。

3. **照明應(yīng)用**
  - 在高壓 LED 照明系統(tǒng)中,11N60S5-VB 可用作 LED 驅(qū)動器的開關(guān)元件,實現(xiàn)對 LED 燈的精確控制和調(diào)節(jié)。

4. **電動汽車充電樁**
  - 在電動汽車充電樁中,11N60S5-VB 可用作充電樁控制電路的關(guān)鍵元件,確保充電樁的安全和穩(wěn)定性。

5. **工業(yè)控制**
  - 該器件可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的高壓開關(guān)電路和負載開關(guān),支持高頻操作和大電流處理,提升設(shè)備的性能和可靠性。

通過以上示例,可以看出 11N60S5-VB MOSFET 在高壓環(huán)境下具備良好的性能和可靠性,適用于多種應(yīng)用場合,是許多電子系統(tǒng)中的理想選擇。

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