## 產品簡介：
VBsemi的MOSFET產品11N80C3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術，具有800V的漏極-源極電壓（VDS）和15A的漏極電流（ID）能力。該產品在TO220F封裝中提供，適用于需要高電壓和高性能的功率電子應用。
## 參數說明：
- 封裝：TO220F
- 構型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：800V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：370mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：15A
- 技術：SJ_Multi-EPI
## 應用領域和模塊：
1. **電源模塊**：由于11N80C3-VB具有高漏極電壓和較低的導通電阻，適用于高性能的開關電源模塊，如DC-DC變換器和AC-DC變換器。
2. **工業控制**：在工業控制設備中，這款MOSFET可以用于逆變器、電機驅動器和電源管理單元，提供可靠的功率控制和轉換。
3. **電動汽車充電樁**：11N80C3-VB適用于電動汽車充電樁中的開關電源單元，支持高功率密度和能效。
4. **太陽能逆變器**：這款MOSFET還可用于太陽能逆變器中，用于將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電。
5. **高壓直流輸電系統**：在高壓直流輸電系統中，11N80C3-VB可用于控制和保護電力系統的穩定性和效率。
以上是對11N80C3-VB MOSFET產品的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的介紹。
