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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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123N10N-VB一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 123N10N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

123N10N-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET,采用溝道(Trench)技術,適用于高性能應用。它具有低導通電阻和高耐壓特性,適用于各種領域和模塊的功率控制和開關電路。

### 參數說明

- **封裝:** TO263
- **VDS(漏極-源極電壓):** 100V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 2.5V
- **導通電阻:**
 - @VGS=4.5V: 23mΩ
 - @VGS=10V: 10mΩ
- **最大漏極電流(ID):** 100A

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源模塊:** 123N10N-VB 的高耐壓特性和低導通電阻使其非常適合用于開關電源模塊中的主開關。
2. **電機驅動:** 在電機驅動器中,123N10N-VB 可以用作低電阻、高效率的電源開關,用于控制電機的啟停和速度。
3. **電動汽車充電樁:** 由于其高電流和高耐壓特性,123N10N-VB 可以用于電動汽車充電樁中的開關電源單元,實現快速、高效的充電。

這些示例說明了123N10N-VB 在需要高性能功率控制的各種領域和模塊中的廣泛應用。

123N10N-VB是一款單通道N型MOSFET,采用溝道技術,適用于高性能應用。具有低導通電阻和高耐壓特性,適用于各種領域和模塊的功率控制和開關電路。

**參數說明:**
- 封裝:TO263
- VDS(漏極-源極電壓):100V
- VGS(柵極-源極電壓):±20V
- Vth(閾值電壓):2.5V
- RDS(ON):23mΩ@VGS=4.5V,10mΩ@VGS=10V
- ID(最大漏極電流):100A

**應用領域和模塊:**
1. 電源模塊:用作開關電源模塊中的主開關。
2. 電機驅動:作為電機驅動器中的電源開關,用于控制電機的啟停和速度。
3. 電動汽車充電樁:用于充電樁中的開關電源單元,實現快速、高效的充電。

123N10N-VB適用于需要高性能功率控制的各種領域和模塊。

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