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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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12N06ZG-TN3-R-VB一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 12N06ZG-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 12N06ZG-TN3-R-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
12N06ZG-TN3-R-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,具有低導通電阻和高電流承受能力。這款MOSFET封裝在TO252中,適用于需要高效率和高可靠性的中壓電源管理應用。

**產(chǎn)品特點**:
- **中等電壓承受能力**:VDS為60V,適用于中壓應用。
- **高柵極電壓**:VGS為±20V,提供較大的設計靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為1.7V,易于驅(qū)動。
- **低導通電阻**:RDS(ON)為85mΩ@VGS=4.5V,73mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為18A,適用于高電流應用。

### 12N06ZG-TN3-R-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:60V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:85mΩ@VGS=4.5V,73mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench

### 應用領(lǐng)域和模塊

**電源管理模塊**:
在中壓電源管理模塊中,12N06ZG-TN3-R-VB 可用作功率開關(guān)元件,用于實現(xiàn)高效率的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。其低導通電阻和高電流能力,使其在電源管理模塊中具有優(yōu)異的性能。

**電動工具**:
在電動工具中,該MOSFET可用于電機驅(qū)動器中的功率開關(guān)元件,用于控制電動工具的啟停和速度調(diào)節(jié)。其高電流能力和低導通電阻,有助于提高電動工具的性能和耐久性。

**DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,12N06ZG-TN3-R-VB 可用作開關(guān)管,實現(xiàn)直流電的電壓轉(zhuǎn)換。其低導通電阻和高電流能力,有助于提高DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和穩(wěn)定性。

**電池管理系統(tǒng)**:
在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電池保護電路和充放電控制。其低導通電阻和高電流能力,有助于提高電池管理系統(tǒng)的效率和安全性。

**LED照明**:
在LED照明系統(tǒng)中,該MOSFET可用于LED驅(qū)動電路中的功率開關(guān)元件,用于控制LED燈的亮度和開關(guān)。其高電流能力和低導通電阻,有助于提高LED照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

通過以上應用實例,可以看出12N06ZG-TN3-R-VB MOSFET在各個領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應用前景,能夠滿足中壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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