### 產品簡介
VBsemi的12N60-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO220封裝，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=10V時為500mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的漏極電流（ID）額定為9A，采用SJ_Multi-EPI技術制造。
### 參數說明
- **包裝形式**：TO220
- **通道類型**：單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：500mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：9A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**：12N60-VB適用于高壓直流電源模塊，如開關電源和逆變器，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這種器件可用于充電樁的控制電路，確保充電過程的安全性和高效性。
3. **工業電機驅動**：在工業電機控制系統中，這種器件可以用作電機驅動器的開關裝置，實現電機的高效控制和節能運行。
4. **太陽能逆變器**：該MOSFET適用于太陽能逆變器的電路中，幫助將太陽能電池板收集的直流電轉換為交流電，供應給家庭或工業用電系統。
5. **醫療設備**：在醫療設備中，這種器件可以用于高壓電源模塊和電機驅動器，具有穩定可靠的性能，滿足醫療設備對電源的高要求。
以上僅為一些常見應用領域和模塊，實際應用中還可能有其他領域和模塊。
