### 產品簡介
VBsemi的12N65M5-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為320mΩ，具有20A的漏極電流（ID）和3.5V的閾值電壓（Vth）。
### 參數說明
- **型號**: 12N65M5-VB
- **封裝**: TO220F
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 30V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**:
- VGS=10V時：320mΩ
- **ID（漏極電流）**: 20A
- **技術**: Plannar
### 應用領域和模塊示例
1. **電源模塊**: 由于12N65M5-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的漏極電流，適用于一些中功率的電源模塊，如DC-DC變換器和電源管理模塊。
2. **家電控制**: 在家電控制領域，MOSFET通常用于開關電路和控制電路。12N65M5-VB可用于一些高壓家電的控制開關，如空調、電冰箱等。
3. **LED照明**: 由于其較高的漏極-源極電壓，12N65M5-VB適用于LED照明驅動器和控制器，提供穩定的電流和照明控制。
4. **電動車充電器**: 在電動車充電器中，MOSFET用作開關元件。12N65M5-VB可用于電動車充電器的功率開關。
5. **電源管理**: 由于其較高的電壓容量和適中的電流，該器件適用于一些電源管理系統中的功率開關和控制電路。
以上領域和模塊僅為示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。
