### 產品簡介

VBsemi的16N50H-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET，設計用于承受最大550V的漏極-源極電壓（VDS）。這款MOSFET具有30V（±）的柵極-源極電壓（VGS）和3V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時，其導通電阻RDS(ON)為260mΩ，并且具有18A的漏極電流（ID）。

### 參數說明

- **封裝**：TO220F
- **構型**：單N溝道
- **最大漏極-源極電壓**：550V
- **柵極-源極電壓**：30V（±）
- **閾值電壓**：3V
- **導通電阻**：260mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流**：18A
- **技術**：平面

### 適用領域和模塊

1. **電源開關**：由于16N50H-VB具有較高的漏極-源極電壓和較低的導通電阻，適用于電源開關模塊，能夠提供高效的功率開關控制。

2. **照明電源**：在照明電源中，這款MOSFET可以用于高壓LED驅動電路，幫助實現高效的照明系統設計。

3. **電動工具**：在工業電動工具中，16N50H-VB可以用作電機的開關元件，幫助實現高功率和高效率的電動工具設計。

4. **太陽能逆變器**：用于太陽能逆變器中的開關電源和逆變器控制，可實現太陽能電能的高效轉換。

5. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可以用于高壓直流充電樁的功率控制，提高充電效率。

以上是對16N50H-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的語段形式說明。