VBsemi的18N50L-TA3-T-VB是一款TO220封裝的單N溝道MOSFET。以下是該產品的詳細信息：

**產品簡介：**
18N50L-TA3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。采用了SJ_Multi-EPI技術，具有優異的性能和可靠性。適用于高壓應用領域。

**詳細參數：**
- 封裝：TO220
- 構型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（門極-源極電壓）：±30V
- Vth（閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：160mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：20A
- 技術：SJ_Multi-EPI

**適用領域和模塊示例：**
- **電源電池管理**：18N50L-TA3-T-VB可以用于電動汽車、太陽能逆變器等高壓電源管理模塊，提供可靠的功率控制和管理。
- **工業自動化**：適用于工業設備中的電源開關模塊，提供高效的電源轉換和管理。
- **照明系統**：可用于高壓LED照明系統中的功率開關，實現高效的LED光源控制和調節。
- **電力傳輸**：適用于電力傳輸系統中的功率開關模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。

以上是對18N50L-TA3-T-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的語段形式舉例說明。