VBsemi的MOSFET產品18N60L-T47-T-VB是一款單通道N溝道器件，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和3.5V的閾值電壓（Vth）。該器件采用了Plannar技術，以下是對該產品的詳細介紹和參數說明：
**產品簡介：**
18N60L-T47-T-VB MOSFET是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，適用于各種高壓應用。它具有低開關損耗和高導通能力，適用于需要高效能和可靠性的應用場合。該器件廣泛應用于各種領域和模塊，如電源供應、電機控制、照明、通信設備等。
**詳細參數：**
- **VDS（漏極-源極電壓）:** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）:** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）:** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）:** 430mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）:** 18A
- **封裝:** TO247
- **技術:** Plannar
**適用領域和模塊：**
18N60L-T47-T-VB適用于各種領域和模塊，包括但不限于：
1. **電源供應模塊：** 用于開關電源、逆變器和穩壓器等模塊中，以提供高效的電能轉換和控制。
2. **電機控制：** 用于電動汽車、工業機械和家用電器等領域中，以實現高效的電機控制和驅動。
3. **照明應用：** 用于LED照明、室內照明和汽車照明等場合中，以提供高效、可靠的照明解決方案。
4. **通信設備：** 用于通信基站、衛星通信和光纖通信等領域中，以實現高效的信號處理和傳輸。
總的來說，18N60L-T47-T-VB MOSFET是一款性能優良、適用廣泛的功率器件，適合各種高壓應用領域和模塊。
