### 產品簡介：
VBsemi的18N60M2-VB TO220F是一款單N溝道MOSFET，具有高耐壓和低導通電阻。采用Plannar技術，適用于各種領域和模塊的高性能應用。
### 詳細參數說明：
- **包裝**：TO220F
- **結構**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：320mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：20A
- **技術**：Plannar
### 應用示例：
1. **電力因素校正器**：由于其高耐壓和低導通電阻，18N60M2-VB TO220F適用于電力因素校正器模塊，能夠提高電力系統的效率。
2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可以用于控制電流和電壓，實現快速充電。
3. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，這款MOSFET能夠承受高壓，適用于電能轉換和儲存模塊。
4. **工業電源**：在工業電源設備中，這款MOSFET可以用于開關電源和UPS系統，提供可靠的電力輸出。
5. **電機驅動**：在需要大電流輸出的電機驅動模塊中，這款MOSFET能夠提供可靠的開關控制和低損耗的功率轉換。
以上是18N60M2-VB TO220F的產品簡介、詳細參數說明和應用示例。
