### 產品簡介
VBsemi的19N10L-TM3-T-VB是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有100V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的門極-源極電壓（VGS）。該器件采用Trench技術制造，具有優異的性能和可靠性。它的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為110mΩ（在VGS=10V時），最大漏極電流（ID）為15A。這使得19N10L-TM3-T-VB非常適合低中壓應用，如電源管理、電機驅動器和其他需要高性能MOSFET的領域。
### 詳細參數說明
- **Package**：TO251
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：100V
- **VGS**：20V（±）
- **Vth**：1.8V
- **RDS(ON)**：110mΩ @ VGS=10V
- **ID**：15A
- **Technology**：Trench
### 適用領域和模塊示例
19N10L-TM3-T-VB適用于各種低中壓、高性能MOSFET的應用，包括但不限于：
1. **電源管理**：由于其低中壓特性，19N10L-TM3-T-VB可用于開關電源、電源逆變器和電源轉換器等低中壓電源管理系統中，提供高效率和可靠性。
2. **電機驅動器**：在需要低中壓電機驅動器的應用中，如工業機械、家用電器等，19N10L-TM3-T-VB可以實現高效的電機控制。
3. **消費電子**：在需要高性能、低中壓MOSFET的消費電子產品中，19N10L-TM3-T-VB可以用于電源管理、DC-DC轉換器等模塊。
4. **LED照明**：由于其高性能和可靠性，19N10L-TM3-T-VB適用于LED照明驅動器和其他低中壓照明應用。
5. **汽車電子**：在汽車電子系統中，19N10L-TM3-T-VB可用于電動汽車充電樁、DC-DC轉換器和其他低中壓應用。
總之，19N10L-TM3-T-VB是一款功能強大、可靠性高的低中壓MOSFET，適用于各種低中壓應用領域和模塊。
