**產(chǎn)品簡介：**
1N60L-TF3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和3.5V的閾值電壓（Vth）。該器件采用了Plannar技術(shù)，適用于低功率應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)：**
- **VDS（漏極-源極電壓）:** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）:** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）:** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）:** 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）:** 2A
- **封裝:** TO220F
- **技術(shù):** Plannar

**適用領(lǐng)域和模塊：**
1N60L-TF3-T-VB適用于低功率應(yīng)用，包括但不限于：
1. **電源管理：** 用于低功率開關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器等模塊中，以提供可靠的電能轉(zhuǎn)換和控制。
2. **照明應(yīng)用：** 用于低功率LED照明、室內(nèi)照明等場合中，以提供高效、可靠的照明解決方案。
3. **電池管理：** 用于低功率鋰電池管理系統(tǒng)、充電器等模塊中，以實(shí)現(xiàn)高效的電池管理和充電控制。

總的來說，1N60L-TF3-T-VB MOSFET是一款適用于低功率應(yīng)用的MOSFET，具有可靠的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。