### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi的1N65L-TM3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術(shù)，適用于低功率和中等電壓的應(yīng)用場合。這款器件具有可靠性高和成本低的特點，適用于各種通用電子設(shè)備和低功率電源管理。
### 參數(shù)說明：
- **包裝**: TO251
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 4300mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 2A
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：
1. **通用電子設(shè)備**: 由于其低功率特性，1N65L-TM3-T-VB適用于各種通用電子設(shè)備中的開關(guān)和電源管理模塊。
2. **低功率逆變器**: 在家用電器和低功率逆變器中，這種MOSFET可用于電源開關(guān)和逆變控制。
3. **LED照明**: 對于低功率LED照明系統(tǒng)，1N65L-TM3-T-VB可用于電流控制和功率調(diào)節(jié)。
4. **電源適配器**: 在低功率電源適配器中，這種MOSFET可用于開關(guān)和電源管理，提供穩(wěn)定的電源輸出。
5. **電子玩具**: 在低功率電子玩具中，這種MOSFET可用于馬達(dá)控制和電池管理，延長電池壽命并提高玩具性能。
