**產品簡介：**
1N80G-TA3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，具有850V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和3.5V的閾值電壓（Vth）。該器件采用了Plannar技術，適用于中高壓應用。

**詳細參數：**
- **VDS（漏極-源極電壓）:** 850V
- **VGS（柵極-源極電壓）:** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）:** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）:** 2700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）:** 4A
- **封裝:** TO220
- **技術:** Plannar

**適用領域和模塊：**
1N80G-TA3-T-VB適用于中高壓應用，包括但不限于：
1. **電源管理：** 用于中高壓開關電源、逆變器和穩壓器等模塊中，以提供可靠的電能轉換和控制。
2. **電機控制：** 用于中高壓電機控制、工業機械和家用電器等領域中，以實現高效的電機控制和驅動。
3. **電源逆變器：** 用于太陽能逆變器、風能逆變器等模塊中，以實現將直流能源轉換為交流能源的控制。

總的來說，1N80G-TA3-T-VB MOSFET是一款適用于中高壓應用的MOSFET，具有可靠的性能和廣泛的應用領域。