**產品簡介：**
VBsemi的1N90L-TF1-T-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有950V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的門極-源極電壓（VGS）。采用了平面技術，具有優異的性能和可靠性，適用于中高壓應用場合。

**詳細參數：**
- 封裝：TO220F
- 構型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：950V
- VGS（門極-源極電壓）：±30V
- Vth（閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：5400mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：3A
- 技術：平面

**適用領域和模塊示例：**
- **電源逆變器**：1N90L-TF1-T-VB適用于中高壓逆變器中的功率開關，提供可靠的功率轉換和管理。
- **工業控制**：可用于工業控制系統中的電源開關模塊，提供高效的電源轉換和管理。
- **電力傳輸**：適用于電力傳輸系統中的功率開關模塊，提供可靠的電力傳輸和控制。
- **LED照明**：1N90L-TF1-T-VB可以用于LED照明系統中的功率開關，實現高效的LED光源控制和調節。

以上是對1N90L-TF1-T-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的語段形式舉例說明。