**產(chǎn)品簡介：**
200N6F3-VB是一款單N溝道功率MOSFET，具有60V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和3V的閾值電壓（Vth）。該器件采用了Trench技術(shù)，適用于中功率應(yīng)用。
**詳細參數(shù)：**
- **VDS（漏極-源極電壓）:** 60V
- **VGS（柵極-源極電壓）:** 20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）:** 3V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）:**
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）:** 210A
- **封裝:** TO220
- **技術(shù):** Trench
**適用領(lǐng)域和模塊：**
200N6F3-VB適用于中功率應(yīng)用，包括但不限于：
1. **電源管理：** 用于中功率開關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器等模塊中，以提供可靠的電能轉(zhuǎn)換和控制。
2. **電機控制：** 用于中功率電機控制、工業(yè)機械和家用電器等領(lǐng)域中，以實現(xiàn)高效的電機控制和驅(qū)動。
3. **照明應(yīng)用：** 用于LED照明、室內(nèi)照明等場合中，以提供高效、可靠的照明解決方案。
總的來說，200N6F3-VB MOSFET是一款適用于中功率應(yīng)用的MOSFET，具有可靠的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。
