### 20N65M5-VB TO263 產品簡介

20N65M5-VB TO263 是一款高性能的單N溝道MOSFET，具有高漏極電壓和電流處理能力。采用了SJ_Multi-EPI 技術制造，具有低導通電阻和高可靠性，適用于高壓、高性能的電源開關和電機控制應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO263
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源開關**：
  20N65M5-VB TO263 在高壓電源開關中表現優異，例如工業電源、UPS、電動汽車充電樁等。其高漏極電壓和電流處理能力可以確保系統在高電壓條件下的穩定工作。

2. **電機控制**：
  在工業電機、電動汽車和電機驅動器中，該MOSFET可以用作電機控制器的開關元件。其低導通電阻和高漏極電流能夠提供高效的電機控制和穩定的工作狀態。

3. **電力傳輸和分配**：
  20N65M5-VB TO263 適用于電力傳輸和分配系統中的開關控制，如變壓器、逆變器和開關電源。其高性能和可靠性可以提高系統的效率和可靠性。

4. **電力電子**：
  該產品還適用于各種電力電子設備，如變頻器、電力調節器和電力控制器。其高性能和可靠性可以確保設備在高壓、高電流環境下的穩定工作。

綜上所述，20N65M5-VB TO263 MOSFET 在高壓、高性能的應用場合中表現出色，具有廣泛的適用性，可以提高系統的性能和可靠性。