### 一、產品簡介

**型號：21N50C3-VB TO220**

VBsemi的21N50C3-VB TO220是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術制造。它具有650V的漏源電壓、20A的漏極電流承載能力，適用于中高壓應用。該產品封裝在TO220中，具有優越的熱性能和電氣特性，適用于各種電力和電子領域。

### 二、詳細參數說明

- **型號**：21N50C3-VB TO220
- **封裝**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **VDS（漏源電壓）**：650V
- **VGS（柵源電壓）**：±30V
- **Vth（閾值電壓）**：3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：160mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **電力變換器**
  - **電力逆變器**：21N50C3-VB TO220適用于中高壓電力逆變器中的開關控制，實現高效的電能轉換和穩定的電流輸出。
  - **高壓直流輸電**：用于高壓直流輸電系統中的開關控制，提供高效的電力傳輸和管理。

2. **工業電源**
  - **工業UPS**：在工業UPS中，21N50C3-VB TO220作為開關元件，確保設備在停電時提供穩定的電力輸出。
  - **工業電源模塊**：適用于工業電源模塊中的開關控制，提供可靠的電力供應和穩定性。

3. **電動車充電系統**
  - **充電樁**：用于電動車充電樁中的電源控制，提供高效的充電解決方案。
  - **電池管理系統**：適用于電動車電池管理系統中的電池充放電控制，提供高效能的電能管理解決方案。

4. **太陽能逆變器**
  - **太陽能逆變器**：21N50C3-VB TO220在太陽能逆變器中作為關鍵元件，實現太陽能電能向電力網絡的高效轉換。
  - **光伏發電系統**：適用于光伏發電系統中的電力管理和逆變控制，提高系統的能效比和穩定性。

通過以上領域和模塊的應用，21N50C3-VB TO220展示了其在中高壓環境下的穩定性和可靠性，是多種高性能電子設備和系統的理想選擇。