### 一、產品簡介

25CN10N-VB 是 VBsemi 生產的一款高性能單N溝道MOSFET，封裝為TO252，適用于中壓、高功率的電源開關和電機驅動等應用。采用溝槽技術（Trench），具有低導通電阻和高電流能力。

### 二、詳細參數說明

- **型號**：25CN10N-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：100V
- **柵源極電壓 (VGS)**：20（±V）
- **閾值電壓 (Vth)**：1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：18mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：45A
- **技術**：溝槽技術（Trench）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電源開關**：25CN10N-VB 適用于中壓高功率的電源開關，如工業電源、逆變器等。其低導通電阻和高漏極電流使其在高功率環境中具有良好的性能。

2. **電機驅動**：在需要高功率和高效能的電機驅動系統中，25CN10N-VB 可以作為電機控制器的關鍵部件，提供高效能的功率開關和電流控制。

3. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，該MOSFET可以用于功率開關和電流控制，確保電動汽車安全、快速地充電。

4. **UPS系統**：在不間斷電源系統中，25CN10N-VB 可以用作電池充電和放電的開關元件，保障UPS系統的穩定運行。

5. **LED照明**：在需要高功率LED照明系統中，該MOSFET可以用于電流控制和功率開關，確保LED燈具的穩定亮度和長壽命。

綜上所述，25CN10N-VB 在中壓、高功率應用領域有著廣泛的應用前景，具有穩定可靠的性能和高效的電能轉換能力。