### 25N10G-TN3-R-VB MOSFET 產品簡介

#### 一、產品簡介

VBsemi的25N10G-TN3-R-VB是一款單N-溝道MOSFET，采用了Trench技術。該器件具有高漏源電壓和低導通電阻，適用于需要高電壓和高電流處理能力的功率管理應用。

#### 二、詳細參數說明

- **封裝 (Package)**: TO252
- **配置 (Configuration)**: 單N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 35mΩ @ VGS=4.5V
 - 30mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術 (Technology)**: Trench

#### 三、應用領域和模塊舉例

25N10G-TN3-R-VB MOSFET適用于多種領域和模塊，以下是一些具體的應用實例：

1. **電源轉換器**：由于其高漏源電壓和低導通電阻，25N10G-TN3-R-VB可用作電源轉換器中的開關器件，實現高效率的能量轉換。

2. **電機驅動**：在電機驅動器中，25N10G-TN3-R-VB可用作功率開關，控制電機的啟停和速度，適用于家用電器和工業設備。

3. **電源管理**：在各種類型的電源管理模塊中，25N10G-TN3-R-VB可用于電源開關和穩壓器，提供穩定的電壓和電流輸出。

4. **LED驅動**：在LED照明應用中，25N10G-TN3-R-VB可用作LED驅動器的開關器件，提供穩定的電流和高效的能量轉換。

5. **電動車控制**：在電動車控制系統中，25N10G-TN3-R-VB可用于電動車電源控制，實現高效能量轉換和驅動控制。

通過結合其技術特點和具體應用，25N10G-TN3-R-VB MOSFET提供了一個高效且可靠的解決方案，滿足了多種現代電子系統的需求。