### 一、產品簡介

**2SJ389S-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生產的一款高性能P-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。封裝形式為TO252，適用于中高功率應用場景。

### 二、詳細參數說明

- **封裝形式**：TO252
- **配置**：單P-溝道
- **漏源電壓（VDS）**：-60V
- **柵源電壓（VGS）**：20V（±）
- **柵極閾值電壓（Vth）**：-1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
 - 72mΩ @ VGS = 4.5V
 - 61mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：-30A
- **技術類型**：溝槽技術

### 三、應用領域和模塊舉例

**應用領域：**

1. **電源管理**：
  - 2SJ389S-VB MOSFET 可以用于中高功率電源管理系統中，如工業電機控制器、電源逆變器等。

2. **汽車電子**：
  - 在汽車電子系統中，該器件適用于電動汽車驅動系統、充電樁等高功率應用。

3. **工業控制**：
  - 適用于工業自動化控制系統中的高功率開關和控制電路。

**模塊應用舉例：**

1. **電動汽車充電樁**：
  - 用于電動汽車充電樁中的功率控制和轉換電路，提供高效的充電服務。

2. **電源逆變器**：
  - 在各種電源逆變器模塊中，2SJ389S-VB MOSFET 可以實現高效的電能轉換。

3. **工業電機驅動器**：
  - 適用于各種工業電機驅動器中，控制電機的啟停和轉速，提高工業生產效率。