### 一、2SJ400-VB 產(chǎn)品簡介

2SJ400-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單一 P-溝道 MOSFET，采用先進的 Trench 技術制造。該器件封裝在 TO263 外殼中，具有高功率處理能力和良好的散熱性能，適用于高功率應用。

### 二、2SJ400-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO263
- **配置**：單一 P-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：-30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：-2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：-75A
- **技術**：Trench

### 三、應用領域和模塊示例

2SJ400-VB 的高功率特性使其適用于多種領域和模塊：

1. **電源管理模塊**：
  由于其高功率處理能力，2SJ400-VB 可以用于各種電源管理模塊，如高功率工控電源、通信設備電源等，以提供穩(wěn)定的高功率電源轉換和管理。

2. **電動車輛**：
  在電動車輛的電源管理系統(tǒng)中，2SJ400-VB 可以用于電池管理、電機控制等高功率電路中，提供可靠的功率開關和控制功能。

3. **工業(yè)高頻開關電源**：
  該 MOSFET 可以用于工業(yè)高頻開關電源中的功率開關器件，實現(xiàn)對高頻電源的穩(wěn)定控制和高效能量轉換。

4. **航空航天領域**：
  在航空航天領域的高功率電源管理系統(tǒng)中，2SJ400-VB 可以用于各種高功率電路的控制和管理，提供可靠的電源轉換和穩(wěn)定性。

通過上述應用實例，可以看出2SJ400-VB 在高功率、高效能量轉換和穩(wěn)定性要求較高的領域和模塊中具有重要的應用價值。