### 一、2SK1160-VB 產品簡介

2SK1160-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET，封裝形式為 TO220。該型號采用 SJ_Multi-EPI 技術制造，具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于中功率電路設計。其最大漏源電壓（VDS）為 650V，最大柵源電壓（VGS）為 ±30V，閾值電壓（Vth）為 3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在 VGS=10V 時為 500mΩ，最大漏極電流（ID）為 9A。

### 二、2SK1160-VB 詳細參數說明

- **型號**：2SK1160-VB
- **封裝**：TO220
- **類型**：單一 N 通道
- **技術**：SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**：650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：500mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**：9A
- **導通延遲時間**：< 10ns
- **關斷延遲時間**：< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**：45nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**：12nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**：33nC
- **熱阻 (RθJC)**：< 2.0°C/W
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C

### 三、應用領域和模塊實例

#### 電源管理模塊
2SK1160-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應用，特別是在需要承受較高電壓和電流的場合，如開關電源和穩壓器。

#### 電動汽車充電器
由于其較高的漏極電流和較低的導通電阻，該型號適用于電動汽車電池管理系統中的功率開關電路，確保系統的高效率和安全性。

#### 工業電機控制
在工業電機控制領域，2SK1160-VB 可用于各種中功率電機驅動和控制系統，如風力發電機、泵站控制等。

#### 電源逆變器
在太陽能和風能等可再生能源系統中，該型號可用于逆變器電路，幫助實現能量的高效轉換和管理。

#### 高性能電源放大器
在音響系統和專業音響設備中，2SK1160-VB 可用于功率放大器電路，提供高保真度的音頻放大。

綜上所述，2SK1160-VB 在中功率電路設計中具有廣泛的應用前景，是一款適用于多種電子設備和系統的高性能 MOSFET 元件。