### 產品簡介

**型號：2SK1167-VB**

2SK1167-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有低導通電阻和高漏源電壓。其設計旨在滿足對高壓應用和高電流要求嚴格的現代電子設備。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO3P
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：600V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：280mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：15A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**電源逆變器**：2SK1167-VB 可用作高壓逆變器中的功率開關元件，提供高效的能源轉換和穩定的逆變控制。

**工業電源**：用于工業電源系統中的高壓開關，如在工業設備和機器人控制系統中。

**電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，該器件可用作功率開關，提供穩定的充電電流和高效的能源轉換。

**太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，2SK1167-VB 可用作高壓開關，提供高效能的能源轉換和穩定的逆變控制。

**醫療設備**：在醫療設備中，如X射線機和醫用超聲儀，該器件可用作功率開關元件，提供穩定的電源控制和高效的能源轉換。

以上示例展示了2SK1167-VB 的多功能性和在各種高壓、高電流電路中的優越表現，是各種高性能電子設備中的理想選擇。