### 產品簡介

**型號：2SK1169-VB**

2SK1169-VB是一款采用TO-3P封裝的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品具有高漏極電壓和低導通電阻，適用于需要高壓和低功耗的應用場景。其采用了SJ_Multi-EPI技術，具備良好的電氣特性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **封裝：** TO-3P
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)：** 600V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±30V
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 190mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：** 20A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

**1. 電力電子變流器：**

2SK1169-VB適用于電力電子領域中的變流器和逆變器。其高漏極電壓和低導通電阻能夠提供穩定的電源轉換和高效率的能量轉換。

**2. 高壓直流輸電系統：**

在高壓直流輸電系統中，該MOSFET可用于功率開關和調節器。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高能量轉換效率和系統穩定性。

**3. 電動汽車充電樁：**

2SK1169-VB適用于電動汽車充電樁的功率開關和電流調節器。其高漏極電壓和低導通電阻能夠提高充電效率和可靠性。

**4. 太陽能逆變器：**

該型號可用于太陽能逆變器的電源開關和調節器。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高能量轉換效率和系統穩定性。

以上應用實例展示了2SK1169-VB MOSFET在高壓和低功耗要求的領域中的廣泛適用性，體現了其在現代電子設備中的重要性。