### 2SK1399-T1B-A-VB 產品簡介

2SK1399-T1B-A-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用SOT23-3封裝。它具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、20V（±V）的柵極-源極電壓（VGS）、1.7V的閾值電壓（Vth），采用Trench技術，適用于低功率應用。

### 2SK1399-T1B-A-VB 詳細參數說明

- **型號：2SK1399-T1B-A-VB**
- **封裝：SOT23-3**
- **極性：單N溝道**
- **漏源電壓 (VDS)：60V**
- **柵源電壓 (VGS)：±20V**
- **閾值電壓 (Vth)：1.7V**
- **導通電阻 (RDS(ON))：**
 - 3100mΩ @ VGS=4.5V
 - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：0.3A**
- **技術：Trench**

### 適用領域和模塊

1. **移動設備**
  - **應用實例**：由于2SK1399-T1B-A-VB 具有低導通電阻和低功率特性，適合用于移動設備中的電源管理和電路控制。

2. **低功率電子設備**
  - **應用實例**：在各種低功率電子設備中，如電子玩具、便攜式計算機等，2SK1399-T1B-A-VB 可用作開關元件，確保設備的高效能和長壽命。

3. **傳感器接口**
  - **應用實例**：在傳感器接口電路中，2SK1399-T1B-A-VB 可以用作開關元件，確保傳感器和控制器之間的穩定通信。

4. **醫療設備**
  - **應用實例**：在低功率醫療設備中，如便攜式監護儀、醫療傳感器等，2SK1399-T1B-A-VB 可用作關鍵元件，確保設備的可靠性和穩定性。

通過這些應用實例，可以看出 2SK1399-T1B-A-VB 在低功率電子設備和電路中的廣泛應用，展示了其在低功率管理和控制領域中的重要性和實用性。