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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1416-VB一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK1416-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1416-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1416-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號采用 Trench 技術(shù)制造,具有較低的漏源電壓和導(dǎo)通電阻,適用于中高功率電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 60V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 28mΩ,在 VGS=10V 時為 24mΩ,最大漏極電流(ID)為 50A。

### 二、2SK1416-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:2SK1416-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:28mΩ @ VGS=4.5V,24mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:50A
- **導(dǎo)通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:40nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:12nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:28nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.5°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例

#### 電源開關(guān)模塊
2SK1416-VB 可用于設(shè)計電源開關(guān)模塊,如電源開關(guān)、DC-DC 變換器等,適用于要求中高功率和高效率的場合。

#### 電動工具
由于其較高的漏極電流和適中的漏源電壓,該型號適用于設(shè)計電動工具,如電動鉆、電動錘等。

#### 電動汽車
在電動汽車的電動機驅(qū)動器中,該型號可用于設(shè)計電動汽車的電動機驅(qū)動器,提供高效率和高功率輸出。

#### 工業(yè)控制系統(tǒng)
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1416-VB 可用于一些要求高功率開關(guān)和高效率的電路,如機械設(shè)備控制、工業(yè)照明控制等。

#### 高性能音頻放大器
在高性能音頻放大器中,該型號可用于功率放大器電路,提供高保真度和低失真的功率放大。

綜上所述,2SK1416-VB 是一款適用于中高功率電路設(shè)計的 MOSFET 元件,具有較低的漏源電壓和導(dǎo)通電阻,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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