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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1486-VB一款N-Channel溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK1486-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1486-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1486-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,采用 TO3P 封裝形式,基于 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造。該型號具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于要求較高耐壓和中等功率的電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 600V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 60mΩ,最大漏極電流(ID)為 47A。

### 二、2SK1486-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:2SK1486-VB
- **封裝**:TO3P
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**:600V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:47A
- **導(dǎo)通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:140nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:35nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:50nC
- **熱阻 (RθJC)**:1.2°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例

#### 高壓電源模塊
2SK1486-VB 可用于設(shè)計高壓電源模塊,如高壓直流電源、電力傳輸系統(tǒng)等,提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和傳輸。

#### 電動車電機驅(qū)動
在電動車電機驅(qū)動器中,該型號可用于設(shè)計電機驅(qū)動模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和動力輸出。

#### 工業(yè)控制系統(tǒng)
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,2SK1486-VB 可用于設(shè)計高壓開關(guān)模塊,實現(xiàn)對工業(yè)設(shè)備的高壓控制和保護。

#### 高壓照明驅(qū)動
在高壓照明系統(tǒng)中,該型號可用于設(shè)計 LED 燈驅(qū)動器,提供穩(wěn)定的高壓輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,2SK1486-VB 可用于設(shè)計太陽能逆變器,將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,實現(xiàn)對電網(wǎng)的接入。

綜上所述,2SK1486-VB 是一款適用于中高壓、中等功率電路設(shè)計的 N 通道 MOSFET,具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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