### 產品簡介

**型號**: 2SK1533-VB  
**封裝**: TO220  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術**: SJ_Multi-EPI

2SK1533-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，封裝為TO220。具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于各種高壓電路設計。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **封裝類型**: TO220
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **功耗 (Ptot)**: 40W

### 應用領域與模塊示例

2SK1533-VB MOSFET 可以廣泛應用于各種高壓領域和模塊中，例如：

1. **電源管理**:
  - 在高壓電源管理中用作開關器件，實現高效的能量轉換。
  - 適用于電視機和顯示器的電源管理模塊。

2. **電力供應**:
  - 在電力供應系統中用于控制和調節電壓。
  - 適用于工業設備和電信基站的電力供應模塊。

3. **電力逆變**:
  - 在高壓電力逆變器中用于將直流電轉換為交流電。
  - 適用于太陽能逆變器和電動汽車逆變器模塊。

4. **電動汽車**:
  - 在電動汽車中用于控制電動機的速度和扭矩。
  - 適用于電動汽車的電機驅動模塊。

5. **工業控制**:
  - 在高壓工業控制系統中用于電路保護和開關控制。
  - 適用于高壓電機驅動和變頻器模塊。

2SK1533-VB 的特性使其成為各種高壓應用中的理想選擇，能夠提供穩定可靠的性能和高效的能量轉換。