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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1821-01MR-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK1821-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1821-01MR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1821-01MR-VB 是一款高壓、單通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于中功率和中電流應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括 650V 的漏源電壓(VDS)、2A 的漏極電流(ID),以及在不同柵源電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):1700mΩ@VGS=10V。該產(chǎn)品采用平面結(jié)構(gòu)(Plannar)技術(shù)制造,具有良好的導(dǎo)通特性和中等功率能力。

### 2SK1821-01MR-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: 平面結(jié)構(gòu)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK1821-01MR-VB MOSFET 適用于以下中功率、中電流應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: 由于其中等功率和中等電流處理能力,2SK1821-01MR-VB 可用作開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)器件,支持中功率設(shè)備的能效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電機(jī)控制**: 在需要中等功率和中等電流的電機(jī)控制應(yīng)用中,這款 MOSFET 可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)元件,提供穩(wěn)定的高電流輸出和低損耗特性。

3. **電池充放電管理**: 2SK1821-01MR-VB 可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制模塊,支持電池充電和放電的穩(wěn)定管理。

4. **太陽(yáng)能逆變器**: 在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,2SK1821-01MR-VB 可用于逆變器模塊中,處理直流電到交流電的轉(zhuǎn)換,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

5. **LED 照明**: 2SK1821-01MR-VB 可用于中功率 LED 照明系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)器模塊,提供穩(wěn)定的電流控制和高效的能量轉(zhuǎn)換。

綜上所述,2SK1821-01MR-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別適用于中功率、中電流處理能力的場(chǎng)合,能夠滿足各種領(lǐng)域的需求。

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