--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT89封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**2SK2109-VB** 是一款單N溝道MOSFET,采用SOT89封裝,適用于中功率應用。具有較高的漏極-源極電壓、低導通電阻和適中的漏極電流能力,適合要求中等功率和小尺寸的電路設計。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOT89
- **配置**:單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:20(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 88mΩ @ VGS=4.5V
- 76mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:5.5A
- **技術**:溝槽型

### 應用領域和模塊
**2SK2109-VB** 在以下領域和模塊中具有廣泛應用:
1. **電源管理模塊**:
- 適用于中功率開關電源(SMPS)中的功率開關和電流控制,提供高效率和穩定性。
- 在電池管理系統(BMS)中,用于電池充放電控制,確保安全和高效率。
2. **消費類電子產品**:
- 在LED照明驅動器中,用于控制LED燈的電流和亮度,提供穩定的照明效果。
- 用于電動工具、家電等產品的電源管理和功率控制。
3. **醫療電子**:
- 在醫療設備中的電源管理模塊和信號處理模塊中使用,如醫療圖像設備、心跳監測器等。
4. **工業控制**:
- 適用于工業自動化設備中的控制模塊,如電機驅動器、傳感器信號處理等。
5. **通信設備**:
- 在通信基站設備中的功率放大器和功率控制模塊中使用,確保設備的高效率和穩定性。
### 小結
**2SK2109-VB** 是一款適用于中功率應用的單N溝道MOSFET,具有較高的漏極-源極電壓、低導通電阻和適中的漏極電流能力。廣泛應用于電源管理、消費類電子產品、醫療電子、工業控制和通信設備等領域,為電路設計提供高效率和穩定性的解決方案。
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