### 產品簡介

2SK2167-VB 是一款高壓、單N溝道MOSFET，采用SOT89封裝。其設計采用了Trench技術，具有高效的開關性能和低導通電阻，適用于高壓應用場景。該MOSFET具有200V的漏源電壓（VDS），能夠在較低的柵極電壓下提供可靠的導通性能。其最大漏極電流（ID）為1A，柵源電壓（VGS）為20V（±），門限電壓（Vth）為3V。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2167-VB
- **封裝**: SOT89
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 200V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **門限電壓（Vth）**: 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 1600mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 1A
- **技術**: Trench

### 應用領域及模塊

2SK2167-VB MOSFET 具有高壓和高效的開關性能，適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理系統**：在需要中高壓電源轉換和開關模式電源（SMPS）的應用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關性能，適用于工業電源和高壓電源供應器。

2. **照明系統**：用于LED驅動和照明系統中的開關和控制電路，2SK2167-VB能夠提供高效的能量轉換和穩定的電流控制，適用于室內和室外照明系統。

3. **電動車充電樁**：在需要處理中高壓和較低電流的電動車充電樁中，該MOSFET能夠提供可靠的開關性能，確保充電樁的高效運行和長期穩定性。

4. **電源開關**：在需要高壓開關和保護電路的應用中，2SK2167-VB能夠提供可靠的高壓開關性能，適用于各種高壓開關應用。

通過這些應用示例，可以看出2SK2167-VB MOSFET 適用于需要高壓、高效開關特性的多種電子和工業應用場景。