### 產品簡介

2SK2662-VB 是一款單 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封裝。該器件具有650V漏極-源極電壓（VDS），適用于高壓應用場合。主要特點包括7A的漏極電流（ID）、1100mΩ @ VGS=10V 的導通電阻（RDS(ON)）、3.5V的閾值電壓（Vth），以及采用平面結構技術制造，提供優異的開關性能和可靠性。

### 詳細參數說明

- **型號**：2SK2662-VB
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單 N 通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：7A
- **技術**：平面結構

### 應用領域和模塊

2SK2662-VB 適用于高壓應用場合。

1. **電源管理**：由于其高壓能力，該器件可用于各種類型的開關電源（SMPS）和逆變器中，提供高效的電能轉換和穩定的輸出。

2. **電動車充電樁**：在需要高壓和適度電流的電動車充電樁中，2SK2662-VB 能夠提供穩定的電流控制和高效的能量轉換。

3. **電力傳輸**：在需要高壓開關和穩定性的電力傳輸系統中，該器件可用于開關電路和其他高壓應用，提供可靠的性能。

4. **工業控制**：在各種工業控制系統中，2SK2662-VB 能夠提供穩定的開關性能，適用于高壓開關和功率控制。

5. **醫療設備**：在一些需要高壓穩定性的醫療設備中，該器件可用于電源管理和其他高壓應用。

綜上所述，2SK2662-VB 是一款適用于高壓應用的 MOSFET，具有優異的開關性能和可靠性，適用于電源管理、電動車充電樁、電力傳輸、工業控制和醫療設備等領域。