### 2SK2664-VB MOSFET 產品簡介

2SK2664-VB 是一款由VBsemi制造的單N溝道MOSFET，采用TO220封裝。該器件適用于中功率應用，具有較高的漏源電壓（VDS 900V）和適中的電流承載能力（ID 5A）。采用多重外延結構（SJ_Multi-EPI）技術，具有較低的導通電阻和適中的閾值電壓，適合要求中功率、高可靠性和穩定性的電路設計。

### 2SK2664-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2664-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: 多重外延結構（SJ_Multi-EPI）

### 適用領域和模塊舉例

1. **電源模塊（Power Modules）**:
  2SK2664-VB 可以用于中功率電源模塊中，作為開關元件，幫助控制電源輸出。其高電壓承載能力和適中的電流特性使其成為電源模塊設計的理想選擇。

2. **工業電氣設備（Industrial Electrical Equipment）**:
  在工業電氣設備中，這款MOSFET 可以用于控制電機和其他中功率模塊。其高可靠性和穩定性使其在工業應用中表現優異。

3. **太陽能逆變器（Solar Inverters）**:
  2SK2664-VB 適用于太陽能逆變器中的功率開關電路，幫助控制電能的轉換和輸出。其高電壓承載能力和適中的功率特性使其成為太陽能逆變器設計的理想組件。

4. **醫療設備（Medical Devices）**:
  在醫療設備中，這款MOSFET 可以用于控制和調節設備中的電源和信號。其高可靠性和穩定性使其在醫療設備中表現優異。

以上是2SK2664-VB 在中功率應用中的典型應用場景。其特性使其成為多種電路設計中的理想選擇，能夠滿足對功率、效率和可靠性要求較高的應用需求。