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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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APM9938KC-TRL-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: APM9938KC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、APM9938KC-TRL-VB 產品簡介

APM9938KC-TRL-VB 是一款高性能的雙N+P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,封裝形式為SOP8。這款器件的設計包括一個N溝道和一個P溝道MOSFET,具有±30V的漏源電壓 (VDS) 和±20V的柵源電壓 (VGS)。N溝道部分提供了高達10A的連續漏電流,而P溝道部分提供了高達-8A的連續漏電流。其閾值電壓分別為1.8V(N溝道)和-1.7V(P溝道),提供低導通電阻,支持高效能開關操作。該MOSFET特別適用于各種需要雙極性開關的電源管理和開關應用。

### 二、APM9938KC-TRL-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:
 - N溝道:1.8V
 - P溝道:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - @ VGS = 4.5V:13mΩ
   - @ VGS = 10V:11mΩ
 - P溝道:
   - @ VGS = 4.5V:28mΩ
   - @ VGS = 10V:21mΩ
- **連續漏電流 (ID)**:
 - N溝道:10A
 - P溝道:-8A
- **技術**:Trench

### 三、應用領域及模塊舉例

APM9938KC-TRL-VB 的雙N+P溝道設計和高效能特性使其在多個應用領域中表現出色:

1. **電源管理**:
  - **DC-DC 轉換器**:在降壓和升壓轉換器中,雙N+P溝道MOSFET提供高效的開關控制,能夠優化電源轉換效率并減少功耗。
  - **電源開關**:用于電源管理模塊中,通過雙極性開關實現高效的電源切換,提升系統的整體性能和穩定性。

2. **消費電子**:
  - **智能手機和平板電腦**:在這些設備的電源管理系統中,利用雙N+P溝道MOSFET的高效性能來實現電源的高效開關和負載控制。
  - **可穿戴設備**:如智能手表和健康監測設備,提供高效的電源管理和電路保護,確保設備的長期穩定運行。

3. **汽車電子**:
  - **車載電源管理**:在汽車的電源管理系統中,雙N+P溝道MOSFET提供高效的電流控制和開關性能,確保車載電源系統的穩定性和安全性。
  - **電動驅動系統**:適用于電動車的電機驅動系統中,支持高電流負載和高效的開關操作,提升電動驅動系統的性能和可靠性。

4. **工業控制**:
  - **電機驅動**:在工業自動化設備中,如電機驅動系統,提供高效的開關控制和負載管理,支持大電流應用。
  - **功率開關**:用于高功率開關控制,能夠高效管理大電流負載,確保系統穩定和安全。

APM9938KC-TRL-VB 的高電流能力、低導通電阻以及雙N+P溝道設計,使其成為多種高效能開關應用中的理想選擇。

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