### 產品簡介

**BSC042N03MS G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用先進的 Trench 技術，具有極低的導通電阻和高漏電流承載能力，專為要求高效率和高電流的應用設計。它適用于高功率開關和電源管理系統。

### 詳細參數說明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
 - 2.5mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 160A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **高效開關電源**: BSC042N03MS G-VB 可在高效開關電源中作為主要開關使用，提供優異的電流處理能力和低功耗特性，提升整體系統效率。

2. **大功率電流驅動**: 適用于需要大電流處理的應用，如電機驅動和高功率 DC-DC 轉換器，能夠穩定地承載高達 160A 的電流。

3. **電源管理系統**: 在電源管理模塊中使用，提供高效的電流開關和優化電源分配，適合電池管理和功率調節應用。

4. **消費電子和計算機設備**: 用于高功率消費電子產品和計算機主板中，作為高效功率開關，確保穩定性和降低功耗。