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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC12DN20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSC12DN20NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

BSC12DN20NS3 G-VB 是一款高電壓、高功率單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。設計用于處理高電壓和大電流應用,BSC12DN20NS3 G-VB 的漏源電壓(VDS)達到200V,柵源電壓(VGS)為20V(±)。其閾值電壓(Vth)為3V,導通電阻(RDS(ON))在10V柵極驅動下為38mΩ,漏極電流(ID)高達30A。采用Trench技術制造,BSC12DN20NS3 G-VB 提供了優(yōu)異的開關性能和高效的功率處理能力,適合用于需要高電壓和高功率的各種應用場景。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 38mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:30A
- **技術**:Trench

### 三、應用領域和模塊示例

1. **高電壓電源管理**:
  BSC12DN20NS3 G-VB 在高電壓電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,如高電壓DC-DC轉換器和電源開關模塊。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的功率處理能力確保了系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性,適合于高電壓負載的應用場景。

2. **電力逆變器**:
  在太陽能逆變器和其他電力逆變器應用中,BSC12DN20NS3 G-VB 提供了高電壓處理能力和高效的開關控制,適合于高功率電力轉換,提升逆變器的效率和可靠性。

3. **工業(yè)電源控制**:
  工業(yè)自動化設備中的電源控制系統(tǒng),如大功率電機驅動器和電源調節(jié)器,使用BSC12DN20NS3 G-VB 可以有效地處理高電壓和大電流,確保設備的穩(wěn)定性和高效運行。

4. **家用電器**:
  對于高電壓家用電器中的應用,如高功率電熱器和大功率電機控制,BSC12DN20NS3 G-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流控制和低功耗運行,提升電器的性能和安全性。

5. **通信基礎設施**:
  在通信設備的電源模塊中,尤其是需要高電壓和高功率的電源開關和功率放大器應用,BSC12DN20NS3 G-VB 能夠提供可靠的開關性能和高效的功率處理,改善設備的整體性能和穩(wěn)定性。

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