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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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PTRA087008NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 650 W CREE

型號: PTRA087008NB-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值 P1dB 380 W 典型值
  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 805兆赫
  • P3dB輸出功率 650 W
  • 效率 52%
  • 增益 19.5 分貝

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PTRA087008NB 是一款 650 瓦的 LDMOS FET。它設計用于 755 MHz 至 805 MHz 的多標準蜂窩功率放大器應用。采用先進的 LDMOS 工藝制造;該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PTRA087008NB-V1

 


特征
寬帶內部輸入輸出匹配
非對稱設計:主 P1dB = 245 W Typ;峰值 P1dB = 380 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能;805兆赫;48 伏;Doherty 配置:P3dB 時的輸出功率 = 650 W;效率 = 52%;增益 = 19.5 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @48 V;30 W (WCDMA) 輸出功率
集成 ESD 保護
符合 RoHS 標準


應用
多標準蜂窩功率放大器


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